InSb-based HEMT with over 300 GHz-fT using evaporated SiOx film

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标题	InSb-based HEMT with over 300 GHz-fT using evaporated SiOx film 使用蒸发SiOx薄膜的超过300 GHz-fT的InSb基HEMT
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, et al. Compound Semiconductor Week 2016,Toyama, Japan, June 2016, WeD1-5.
求助人	风行在 2025-02-19 16:01:44 发布自天津，悬赏 10 积分
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