标题 |
2.83-kV double-layered NiO/β-Ga2O3 vertical p-n heterojunction diode with a power figure-of-merit of 5.98 GW/cm2
功率品质因数为5.98 GW/cm2的2.83 kV双层NiO/β-Ga2O3垂直p-n异质结二极管
相关领域
非阻塞I/O
功勋
材料科学
异质结
二极管
薄脆饼
图层(电子)
阳极
光电子学
电极
双异质结构
击穿电压
电场
分析化学(期刊)
电压
电气工程
纳米技术
物理
化学
量子力学
半导体激光器理论
工程类
生物化学
催化作用
色谱法
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Semiconductors 作者:Tingting Han; Yuangang Wang; Yuanjie Lv; Shaobo Dun; Hongyu Liu; et al 出版日期:2023-07-01 |
求助人 | |
下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|