| 标题 |
  P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas 基于极化诱导二维空穴气的P沟道InGaN/GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
MOSFET
场效应晶体管
晶体管
电介质
极化（电化学）
阈值电压
半导体
氧化物
电容
电压
化学
物理
电极
物理化学
量子力学
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Scientific Reports 作者：Kexiong Zhang; Masatomo Sumiya; Meiyong Liao; Yasuo Koide; Liwen Sang 出版日期：2016-03-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研小民工
劲秉
SYLH
cdercder
昏睡的蟠桃
pluto
科研321
畅快老虎
傲娇的曼香
默默地读文献
随遇而安
chunjuan
迷人秋烟
子车茗
hans
gtm
back you up
无敌的番茄炒蛋
iNk
nozero
皖公网安备34019202002308
