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标题
Stable Switching in HfO2-Based Crossbar Conducting- Bridge Resistive Switching Memory Device
基于高氯酸氢氧化物交叉导电桥阻性开关存储器件的稳定开关
相关领域
材料科学 锡 光电子学 电极 电阻随机存取存储器 导电体 图层（电子） 原子层沉积 纳米技术 复合材料 化学 物理化学 冶金
网址
https://doi.org/10.1149/ma2017-01/45/2060
DOI
10.1149/ma2017-01/45/2060 doi
其它 期刊：Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM)
作者：Umesh Chand; Md Abdullah Al Hafiz; Meshal Alawein; Hossein Fariborzi
出版日期：2017-04-15
求助人
momo 在 2025-03-20 15:48:32 发布自湖北，悬赏 10 积分
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