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 Understanding the electric field dependent channel migration for shorter channel length of multilayer rhenium disulfide (ReS2) FETs 了解多层二硫化铼（ReS2）场效应晶体管较短沟道长度的电场相关沟道迁移
相关领域
材料科学
电阻器
电导
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电场
凝聚态物理
排水诱导屏障降低
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期刊：Nanotechnology 作者：Hyeong Jin Choi; Y. J. Choi; Gyu‐Tae Kim 出版日期：2024-12-02 |
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