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 Understanding xenon and vacancy behavior in UO2, UN and U3Si2: a comparative DFT+Ustudy 了解UO2、UN和U3Si2中的氙和空位行为：DFT+US比较研究
相关领域
空位缺陷
氙气
Atom（片上系统）
电荷（物理）
原子物理学
材料科学
物理
凝聚态物理
量子力学
计算机科学
嵌入式系统
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期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Jiajun Zhao; Dan Sun; Xi Liu; Ping Chen; Jijun Zhao; et al 出版日期：2023-01-01 |
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