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 TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model 团队：阈值自适应忆阻器模型
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
可扩展性
计算机科学
电子工程
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期刊：IEEE Transactions on Circuits and Systems I-regular Papers 作者：Shahar Kvatinsky; Eby G. Friedman; Avinoam Kolodny; Uri Weiser 出版日期：2013-01-01 |
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