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AlGaN/GaN HEMTs fabricated using AlGaN regrowth on RIE-GaN surfaces
在RIE-Gap表面上使用LGA再生长制造的LGA/Gap ECT
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
氮化镓
宽禁带半导体
纳米技术
晶体管
图层（电子）
电气工程
电压
工程类
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期刊：The Japan Society of Applied Physics 作者：Akio Yamamoto; Keito Kanatani; Masaaki Kuzuhara 出版日期：2018-07-10 |
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