标题 |
[高分] Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
1.2 kV SiC超结MOSFETs多层外延生长与充槽外延生长的比较
相关领域
外延
沟槽
材料科学
光电子学
MOSFET
工程物理
电气工程
纳米技术
晶体管
电压
工程类
图层(电子)
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