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标题
[高分] Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
1.2 kV SiC超结MOSFETs多层外延生长与充槽外延生长的比较
相关领域
外延 沟槽 材料科学 光电子学 MOSFET 工程物理 电气工程 纳米技术 晶体管 电压 工程类 图层(电子)
网址
DOI
10.1541/ieejeiss.144.257 doi
求助人
Dexterzzzzz 在 2024-05-29 20:14:11 发布自江苏,悬赏 150 积分
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