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Enhancing Short Circuit Capability of 1.2-kV Si IGBT Using a Gate-Source Shorted Si Depletion Mode MOSFET in Series With the Emitter
用栅源短路硅耗尽模MOSFET与发射极串联提高1.2 kV硅IGBT的短路性能
相关领域
绝缘栅双极晶体管
电压降
MOSFET
电气工程
双极结晶体管
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材料科学
共发射极
电力电子
晶体管
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功率半导体器件
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期刊:IEEE transactions on power electronics 作者:Ajit Kanale; B. Jayant Baliga 出版日期:2020-06-01 |
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