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 Computing Threshold Voltage Shift in Submicron MOSFET in Presence of Body Effect and Induced Lateral Field 存在体效应和诱导横向场时亚微米MOSFET阈值电压漂移的计算
相关领域
MOSFET
阈值电压
材料科学
光电子学
场效应
电压
电气工程
凝聚态物理
物理
工程类
晶体管
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期刊：Lecture Notes in Electrical Engineering 作者：Farnaz Khanam; Anwita Nath; Arpan Deyasi 出版日期：2020-11-17 |
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