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 A 4H-SiC Trench MOS Capacitor Structure for Sidewall Oxide Characteristics Measurement 一种用于侧壁氧化特性测量的4H-SiC沟槽MOS电容器结构
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期刊： 作者：Huai-Lin Huang; Li-Tien Hsuesh; Yen-Cheng Tu; Bing‐Yue Tsui 出版日期：2024-04-15 |
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