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Effect of postdeposition annealing on the electrical properties of β-Ga2O3 thin films grown on p-Si by plasma-enhanced atomic layer deposition
沉积后退火对等离子体增强原子层沉积法在p-Si上生长β-Ga2O3薄膜电学性能的影响
相关领域
材料科学 退火（玻璃） 薄膜 电介质 原子层沉积 无定形固体 分析化学（期刊） 薄脆饼 光电子学 复合材料 纳米技术 结晶学 化学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1116/1.4875935
AI链接 handle.net edu.trdoi.org
DOI
10.1116/1.4875935 doi
其它 期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films
作者：Halit Altuntaş; İnci Dönmez; Çağla Özgit-Akgün; Necmi Bıyıklı
出版日期：2014-05-21
求助人
estk 在 2024-11-01 13:58:53 发布自北京，悬赏 10 积分
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