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 P‐13: Excessive Oxygen induced Threshold Voltage Shifts in High Mobility Top‐Gate PrIZO TFTs P-13：高迁移率顶栅PRIZO TFT中过量氧诱导的阈值电压偏移
相关领域
阈值电压
光电子学
栅极电压
氧气
材料科学
薄膜晶体管
电气工程
电压
化学
纳米技术
晶体管
工程类
图层（电子）
有机化学
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| 其它 |
期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Yuhua Dong; Shi‐Min Ge; Zhihui Cai; Yuan Dong; Min Yu; et al 出版日期：2024-06-01 |
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