Recent advances and challenges in the MOCVD growth of indium gallium nitride: A brief review

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标题	Recent advances and challenges in the MOCVD growth of indium gallium nitride: A brief review 氮化铟镓的MOCVD生长研究进展与面临的挑战相关领域材料科学铟镓氮化物金属有机气相外延镓铟氮化物氮化铟化学气相沉积工程物理纳米技术光电子学氮化镓外延冶金工程类图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106545
DOI	10.1016/j.mssp.2022.106545 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Aik Kwan Tan; Nur Atiqah Hamzah; M.A. Ahmad; Sha Shiong Ng; Z. Hassan 出版日期：2022-06-01
求助人	vcfvc 在 2024-11-02 22:42:11 发布自福建，悬赏 10 积分
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