标题 |
Charge-transfer interatomic potential to reproduce 30° partial dislocation movements for 4H-SiC in the surface vicinity and its application to BPD-TED conversion
再现表面附近4H-SiC 30°部分位错运动的电荷转移原子间势及其在BPD-TED转换中的应用
相关领域
位错
电荷(物理)
部分电荷
材料科学
传输(计算)
部分位错
原子间势
曲面(拓扑)
凝聚态物理
化学物理
原子物理学
分子动力学
化学
物理
计算化学
复合材料
计算机科学
几何学
数学
量子力学
并行计算
|
网址 | |
DOI | |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|