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盛开的芒果
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2023-05-24 加入
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抗菌药物临床试验技术指导原则
2天前
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Basal plane dislocation multiplication via the Hopping Frank-Read source mechanism in 4H-SiC
2天前
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Synchrotron Topography Studies of Growth and Deformation-Induced Dislocations in 4H-SiC
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X-Ray Three-Dimensional Topography Imaging of Basal-Plane and Threading-Edge Dislocations in 4H-SiC
2天前
已完结
Starting Point of Step-Bunching Defects on 4H-SiC Si-Face Substrates
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Influence of Impurities in SiC Powder on High Quality SiC Crystal Growth
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X-ray microbeam three-dimensional topography for dislocation strain-field analysis of 4H-SiC
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Multi-Cycle High Temperature Rapid Thermal Annealing for Dislocation Elimination in 4H-SiC Epitaxy
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Reaction pathway analysis for the contraction of 4H-SiC partial-dislocations pair in the vicinity of surface
2天前
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Reaction pathway analysis for the conversion of perfect screw basal plane dislocation to threading edge dislocation in 4H-SiC
2天前
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2天前
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