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In Situ Monitoring Surface Reactions in Cryogenic Atomic Layer Etching of Silicon Nitride by Alternating Surface Modification with Hydrogen Fluoride Dose and Ar Plasmas
氟化氢剂量和氩等离子体交替表面改性氮化硅低温原子层刻蚀中的表面反应原位监测
相关领域
蚀刻(微加工)
材料科学
氮化硅
氟化氢
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氮化物
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期刊:Chemistry of Materials 作者:Shih‐Nan Hsiao; Makoto Sekine; Yuki Iijima; Masaru Hori 出版日期:2024-11-07 |
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