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 Wake-Up Free Ferroelectric Capacitor With Quadruple-Level Storage by Inserting ZrO2 Interlayer and Bottom Layer in HfZrOx 在HfZrOx中插入ZrO2夹层和底层的四能级存储无唤醒铁电电容器
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yi-Fan Chen; Chia-Wei Hu; Yu‐Cheng Kao; Chun-Yi Kuo; Pin‐Jiun Wu; et al 出版日期：2023-01-10 |
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