Tuning of interface quality of Al/CeO2/Si device by post-annealing of sol-gel grown high-k CeO2 layers

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标题	Tuning of interface quality of Al/CeO2/Si device by post-annealing of sol-gel grown high-k CeO2 layers 溶胶-凝胶高k CeO2层后退火调节Al/CeO2/Si器件界面质量相关领域材料科学退火（玻璃）分析化学（期刊） X射线光电子能谱电介质硅氧化物高-κ电介质光电子学化学冶金核磁共振物理色谱法
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2024.112212
DOI	10.1016/j.mee.2024.112212 doi
其它	期刊：Microelectronic engineering 作者：Gagan Priya; Shuchita Srivastava; Shankar Muthukonda Venkatakrishnan; K.M.K. Srivatsa; Amish G. Joshi; et al 出版日期：2024-09-01
求助人	jjjj 在 2024-06-13 15:06:06 发布自湖南，悬赏 10 积分
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