Strain Release in GaN Epitaxy on 4° Off‐Axis 4H‐SiC

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标题	Strain Release in GaN Epitaxy on 4° Off‐Axis 4H‐SiC 4°离轴4H-SiC上GaN外延的应变释放相关领域材料科学外延光电子学异质结氮化镓碳化硅晶体管宽禁带半导体基质（水族馆）半导体纳米技术复合材料电气工程地质学工程类电压海洋学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202201169
DOI	10.1002/adma.202201169 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Sirui Feng; Zheyang Zheng; Yan Cheng; Yat Hon Ng; Wenlei Song; et al 出版日期：2022-05-04
求助人	橙子的远方在 2024-09-15 15:23:14 发布，悬赏 10 积分
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