Resistive Random-Access Memories Using Quasi-2d Halide Perovskites for Wafer-Scale Reliable Switching Behaviors

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标题	Resistive Random-Access Memories Using Quasi-2d Halide Perovskites for Wafer-Scale Reliable Switching Behaviors 使用准二维卤化物钙钛矿实现晶圆级可靠开关行为的电阻随机存取存储器相关领域薄脆饼卤化物电阻随机存取存储器电阻式触摸屏比例（比率）材料科学光电子学计算机科学纳米技术化学电气工程工程类物理电压无机化学操作系统量子力学
网址	https://doi.org/10.2139/ssrn.4844871
DOI	10.2139/ssrn.4844871 doi
其它	期刊：作者：Hyo-Jung Kim; Cheon Woo Moon; Myung Suk Choi; Jun Min Suh; Young‐Seok Shim; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	yuan 在 2024-06-01 21:50:09 发布自天津，悬赏 30 积分
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