Memory Window Ratio Enhancement of p-Type WSe2 Memtransistors Using Dielectric GeSe2 Nanosheets with Asymmetric Interfaces for Neuromorphic Computing

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标题	Memory Window Ratio Enhancement of p-Type WSe2 Memtransistors Using Dielectric GeSe2 Nanosheets with Asymmetric Interfaces for Neuromorphic Computing 用于神经形态计算的具有非对称界面的电介质GeSe2纳米片的p型WSe2膜晶体管的存储窗口比增强相关领域材料科学异质结光电子学神经形态工程学电介质俘获纳米技术计算机科学人工神经网络生态学机器学习生物
网址	https://doi.org/10.1021/acsanm.3c02435
DOI	10.1021/acsanm.3c02435 doi
其它	期刊：ACS applied nano materials 作者：Mengna Wang; Yingjie Lv; Shasha Li; Jiarong Zhao; Dingwen Cao; et al 出版日期：2023-08-17
求助人	刘白告在 2023-10-23 20:35:24 发布自河北，悬赏 10 积分
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