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 1380 V β-Ga2O3 trench MIS-type Schottky barrier diode with ultra-low leakage current 1380 V β-Ga2O3沟槽MIS型超低漏电流肖特基势垒二极管
相关领域
沟槽
材料科学
二极管
光电子学
肖特基二极管
泄漏（经济）
肖特基势垒
反向漏电流
纳米技术
宏观经济学
经济
图层（电子）
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Bo Yi; JunYu Xia; Yuan Qiao; Zijian Zhang; Bingliang Zhang; et al 出版日期：2025-03-13 |
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