An Embedded Power Section with GaN HEMTs

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标题	An Embedded Power Section with GaN HEMTs 具有GaN HEMT的嵌入式功率部分相关领域氮化镓高电子迁移率晶体管晶体管材料科学功率（物理）逆变器宽禁带半导体章节（排版）功率半导体器件光电子学嵌入电气工程水准点（测量）电子工程计算机科学工程类物理图层（电子）纳米技术地理人工智能电压操作系统量子力学大地测量学
网址	https://doi.org/10.1109/ecce-asia49820.2021.9479226
DOI	10.1109/ecce-asia49820.2021.9479226 doi
其它	期刊：作者：Tianyu Li; Christian Voigt; Anderas Lindemann; Lars Boettcher; Eugen Erhardt 出版日期：2021-05-24
求助人	瑞_ 在 2024-10-22 16:48:09 发布自河南，悬赏 10 积分
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