Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy

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标题	Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy 使用具有高内聚能的六方氮化硼电介质和金属栅电极的二维材料晶体管相关领域材料科学六方氮化硼电介质光电子学电极六方晶系金属氮化硼晶体管氮化物纳米技术冶金电气工程石墨烯电压结晶学工程类化学物理化学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-024-01233-w
DOI	10.1038/s41928-024-01233-w doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Yaqing Shen; Kaichen Zhu; Yiping Xiao; Dominic Waldhör; Abdulrahman H. Basher; et al 出版日期：2024-08-26
求助人	zhaoty 在 2025-02-09 14:12:22 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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