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 High and Uniform Phosphorus Doping in Germanium Through a Modified Plasma Assisted Delta Doping Process With H₂ Plasma Treatment 通过改进的等离子体辅助δ掺杂工艺和H₂等离子体处理在锗中进行高且均匀的磷掺杂
相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Heejae Jeong; Y.S. Kim; Seunghun Baik; Hongki Kang; Jae Eun Jang; et al 出版日期：2022-08-01 |
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