| 标题 |
A novel SGT MOSFET based on radiation-hardening technology and its total-ionizing-dose radiation effects
基于辐射硬化技术的新型SGT MOSFET及其总电离剂量辐射效应
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| 其它 | MO W Y, YE J, LIU H N, et al. A novel SGT MOSFET based on radiation-hardening technology and its total-ionizing-dose radiation effects [J]. IEEE Electron Device Letters, 2024, 45(7): 1253-1256. |
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