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 Ultrahigh Growth Rate-induced Thick 3C-SiC Heteroepitaxial Layers on 4H-SiC and its Oxidation Characteristics 4H-SiC上超高生长速率诱导厚3C-SiC异质外延层及其氧化特性
相关领域
材料科学
光电子学
增长率
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图层（电子）
纳米技术
几何学
数学
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期刊：Vacuum 作者：J Jiao; Siqi Zhao; Yunkai Li; Moyu Wei; Guoguo Yan; et al 出版日期：2024-08-24 |
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