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![]() 具有InGaN背势垒的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Tomás Palacios; A. Chakraborty; S. Heikman; S. Keller; Steven P. DenBaars; et al 出版日期:2005-12-22 |
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