标题 |
Enhancing interfacial charge transfer in a WO3/BiVO4 photoanode heterojunction through gallium and tungsten co-doping and a sulfur modified Bi2O3 interfacial layer
通过镓钨共掺杂和硫修饰Bi2O3界面层增强WO3/BiVO4光阳极异质结中的界面电荷转移
相关领域
镓
兴奋剂
异质结
材料科学
硫黄
电荷(物理)
纳米技术
光电子学
钨
物理
冶金
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|