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 Impact of PECVD SiON stoichiometry and post-annealing on the silicon surface passivation PECVD化学计量和后退火对硅表面钝化的影响
相关领域
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分析化学（期刊）
氮化硅
化学气相沉积
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期刊：Thin Solid Films 作者：J. Dupuis; Erwann Fourmond; J.‐F. Lelièvre; D. Ballutaud; M. Lemiti 出版日期：2007-12-12 |
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