标题 |
Van der Waals Gap Enabled Robust Retention of MoS2 Floating‐Gate Memory for Logic‐In‐Memory Operations
范德华间隙实现了MoS2浮栅存储器的稳健保持,用于存储器中逻辑操作
相关领域
材料科学
范德瓦尔斯力
非易失性存储器
光电子学
量子力学
分子
物理
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DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Functional Materials 作者:Wencheng Niu; Xuming Zou; L. Tang; Tong Bu; Sen Zhang; et al 出版日期:2025-01-14 |
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