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 Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates 净掺杂浓度对4H-SiC衬底载流子寿命的影响
相关领域
兴奋剂
载流子寿命
杂质
分析化学（期刊）
材料科学
电阻率和电导率
接受者
基质（水族馆）
凝聚态物理
光电子学
硅
化学
物理
电气工程
海洋学
有机化学
色谱法
地质学
工程类
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| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Hongyu Shao; Xiu Yang; Desheng Wang; Yongming Li; Xiufang Chen; et al 出版日期：2024-03-06 |
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