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 Wide-bandgap semiconductor SiC-based memristors fabricated entirely by electron beam evaporation for artificial synapses 用于人工突触的完全通过电子束蒸发制备的宽带隙半导体SiC基忆阻器
相关领域
记忆电阻器
材料科学
宽禁带半导体
带隙
半导体
光电子学
蒸发
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Haiming Qin; Sun Shilei; Nan He; Pengchao Zhang; Shuai Chen; et al 出版日期：2024-09-30 |
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