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![]() SOI FinFETs中总电离剂量效应的偏压和几何依赖性
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
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核物理学
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Zhexuan Ren; Xia An; Gensong Li; Runsheng Wang; Nuo Xu; et al 出版日期:2020-06-02 |
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