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 Immobilization of partial dislocations bounding double Shockley stacking faults in 4H-SiC observed by in situ synchrotron X-ray topography 用原位同步辐射X射线形貌观察4H-SiC中双肖克利层错边界部分位错的固定
相关领域
材料科学
同步加速器
堆积
部分位错
原位
芯（光纤）
叠加断层
X射线
结晶学
变形（气象学）
基质（水族馆）
凝聚态物理
位错
复合材料
光学
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物理
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气象学
化学
海洋学
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期刊：Materialia 作者：Fumihiro Fujie; Shunta Harada; Hiromasa Suo; Balaji Raghothamachar; Michael Dudley; et al 出版日期：2021-12-01 |
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