标题 |
Comparison of models for silicon etching in CF4 + O2 plasma
CF4+O2等离子体刻蚀硅模型的比较
相关领域
蚀刻(微加工)
反应离子刻蚀
吸附
溅射
等离子体
硅
图层(电子)
等离子体刻蚀
离子
分子
化学
分析化学(期刊)
材料科学
薄膜
纳米技术
物理化学
环境化学
光电子学
有机化学
物理
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Vacuum 作者:R. Knizikevičius 出版日期:2012-07-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|