Experimental analysis and theoretical model for anomalously high ideality factors (n≫2.0) in AlGaN/GaN p-n junction diodes

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标题	Experimental analysis and theoretical model for anomalously high ideality factors (n≫2.0) in AlGaN/GaN p-n junction diodes AlGaN/GaN p-n结二极管中反常高理想因子（n≫2.0）的实验分析和理论模型相关领域欧姆接触超晶格二极管材料科学异质结光电子学凝聚态物理兴奋剂半导体纳米技术物理图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/1.1593218
DOI	10.1063/1.1593218 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Jay M. Shah; Y.-L. Li; Th. Gessmann; E. Fred Schubert 出版日期：2003-07-29
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