Recent progress of physical failure analysis of GaN HEMTs

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标题	Recent progress of physical failure analysis of GaN HEMTs GaN HEMTs物理失效分析的新进展相关领域可靠性（半导体）表征（材料科学）材料科学可靠性工程光电子学氮化镓电子工程晶体管宽禁带半导体工程物理功率（物理）纳米技术电气工程工程类物理图层（电子）量子力学电压
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/42/5/051801
DOI	10.1088/1674-4926/42/5/051801 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Xiaolong Cai; ChengLin Du; Zixuan Sun; Ran Ye; Haijun Liu; et al 出版日期：2021-05-10
求助人	danny666 在 2023-08-16 15:03:39 发布自湖南，悬赏 10 积分
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