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Role of magnetic doping in topological HgTe and application of the Gram-Schmidt method for computing impurity states in quantum wells
磁掺杂在拓扑HgTe中的作用及Gram-Schmidt方法在计算量子阱中杂质态中的应用
相关领域
杂质
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Dawid Bugajewski; T. Dietl 出版日期:2024-11-27 |
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