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Insights into the origin of robust ferroelectricity in HfO2 -based thin films from the order-disorder transition driven by vacancies
从空位驱动的有序-无序转变中深入了解OfO 2基薄膜中强铁电性的起源
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期刊:Physical Review Applied 作者:Chenxi Yu; Haili Ma; Mingqiang Li; Fei Liu; Xiangxiang Ding; et al 出版日期:2024-08-09 |
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