标题 |
A Violet‐Light‐Responsive ReRAM Based on Zn2SnO4/Ga2O3 Heterojunction as an Artificial Synapse for Visual Sensory and In‐Memory Computing
基于Zn2SnO4/Ga2O3异质结的紫光响应ReRAM作为视觉感官和内存计算的人工突触
相关领域
材料科学
电阻随机存取存储器
异质结
光电子学
突触
纳米技术
物理化学
电极
化学
神经科学
生物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Saransh Shrivastava; Wei‐Sin Dai; Stephen Ekaputra Limantoro; Hans Juliano; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期:2024-10-09 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|