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 Physical design guidelines to minimize area-specific ON-resistance for rated ON-current and breakdown voltage of GaN power HEMTs GaN功率HEMTs额定导通电流和击穿电压最小化面积比导通电阻的物理设计准则
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Arif Khan; R. Muralidharan; Hareesh Chandrasekar 出版日期：2023-02-16 |
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