| 标题 |
 A Gate Open-Circuit Failure Detection Method of SiC MOSFETs Based on Internal Gate State Extraction 一种基于内部栅极状态提取的SiC MOSFET栅极开路故障检测方法
相关领域
材料科学
MOSFET
萃取（化学）
电子工程
光电子学
逻辑门
电气工程
工程类
电压
晶体管
化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Shengxu Yu; Sheng Wang; Lingqi Tan; Jinggang Qin; Da Zhou; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
paparazzi221
可靠的书桃
完美的天空
pcr163
HEIKU
一一
寻道图强
陈军
豆豆
yufanhui
pluto
8R60d8
tuanheqi
坚强亦丝
Yziii
iNk
皖公网安备34019202002308
