A Gate Open-Circuit Failure Detection Method of SiC MOSFETs Based on Internal Gate State Extraction

材料科学 MOSFET 萃取（化学）电子工程光电子学逻辑门电气工程工程类电压晶体管化学色谱法

作者

Shengxu Yu,Sheng Wang,Lingqi Tan,Jinggang Qin,Da Zhou,Yunchan Wu,Yimin Zhou,Guoqing Xin,Xiaojie Shi

出处

期刊：IEEE Transactions on Power Electronics [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2024-01-01 卷期号：: 1-12

标识

DOI：10.1109/tpel.2024.3444464

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