标题 |
Heavy ion induced single-event-transient effects in nanoscale ferroelectric vertical tunneling transistors by TCAD simulation
TCAD模拟重离子在纳米级铁电垂直隧道晶体管中诱导的单粒子瞬时效应
相关领域
绝缘体上的硅
量子隧道
晶体管
铁电性
瞬态(计算机编程)
光电子学
材料科学
纳米尺度
场效应晶体管
硅
电气工程
物理
纳米技术
计算机科学
电压
工程类
电介质
操作系统
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Guoliang Tian; Jinshun Bi; Gaobo Xu; Kai Xi; Xueqin Yang; et al 出版日期:2020-08-31 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|