| 标题 |
 Performance Improvement by Blanket Boron Implant in the Sigma-Shaped Trench Before the Embedded SiGe Source/Drain Formation for 28-nm PMOSFET 28-nmPMOS嵌入式硅氧半导体源极/漏极形成之前，通过在Sigma形沟道中毯式注入B来提高性能
相关领域
沟槽
材料科学
硼
毯子
光电子学
电容
西格玛
MOSFET
噪音（视频）
电气工程
电子工程
纳米技术
工程类
计算机科学
物理
复合材料
电压
晶体管
电极
图层（电子）
核物理学
人工智能
图像（数学）
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhonghua Li; Run-Ling Li; Yu-Long Jiang; Yanwei Zhang; Yongfeng Cao; et al 出版日期：2020-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
Henry
tianzml0
iNk
彭于彦祖
几酌
寻道图强
吃不饱星球球长
夏远航
HEIKU
哎嘿
梓泽丘墟
shinysparrow
暮霭沉沉
不配.
互助遵法尚德
张子捷
苏卿
spark810
rosalieshi
皖公网安备34019202002308
