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 Novel Vertical Channel-All-Around (CAA) In-Ga-Zn-O FET for 2T0C-DRAM With High Density Beyond 4F2 by Monolithic Stacking 用于2T0C-DRAM的新型单片叠层In-Ga-Zn-O全沟道垂直场效应管
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xinlv Duan; Shijie Huang; Junxiao Feng; Jiebin Niu; Haibo Qin; et al 出版日期：2022-03-10 |
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