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标题
Integration and Electrical Properties of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film on Bulk β-Ga2O3(-201) Substrate for Memory Applications
存储用大块β-Ga2O3(-201)衬底上铁电Hf0.5Zr 0.5 O2薄膜的集成度和电学性能
相关领域
铁电性 可扩展性 材料科学 计算机科学 光电子学 电介质 数据库
网址
DOI
10.1109/led.2018.2868240 doi
求助人
李沐唅 在 2024-11-25 22:02:40 发布自贵州,悬赏 10 积分
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